在極高
真空系統(tǒng)中,表面脫附的氣體量、氣體成分以及減少脫附的實(shí)驗(yàn)方法是非常重要的。已有不少文章給出了一些數(shù)據(jù)。為了定量地說明問題,這里仍然假定系統(tǒng)V= 100L.S=100L/s,表面積A=
104cm2,粘著概率口= 0.5。用J.P.HobSon的方法,認(rèn)為氣體分子完全沒有相互作用,由脫附氣體所產(chǎn)生的壓力
式中 K-系數(shù),與溫度有關(guān),K= f(T)S'/S;其中 S-是對某一種氣體的抽速,[L/S];S7——是吸附表面的抽氣速率,此時為5L/(s.cm/);
R-氣體常數(shù),8·314[J/mol.K];
T-熱力學(xué)溫度[K];
E-脫附活化能[J/mol]。
把各種脫附活化能E代入式(16-4)中,就可以得到20℃下的壓力一時間曲線,圖16-2為在吸附一個分子層的器壁上具有不同脫附活化能的氣體,在20℃下出氣時容器內(nèi)壓力變化曲線。E≤63kj/mol的吸附氣體,在室溫下很快被抽走。E>126kj/mol的暖附氣體分子被束縛得很緊,其脫附量對壓力的影響很小。只有75kj/mol<E<105kj/mol的吸附氣體,在室溫下可以在較長時間內(nèi)引起較高的分壓力。例如在上述假定系統(tǒng)中,在室溫下11d內(nèi)均能產(chǎn)生7×10-10Pa的分壓力。如果在短時間內(nèi)可以產(chǎn)生更高的分壓力,如E=92kj/mol的氣體,在室溫下幾百小時仍保持10-7Pa的分壓力,這對獲得極高真空來說是一個困難。為了克服這個困難,系統(tǒng)必須烘烤。烘烤對表面脫附的影響可用圖16-3直觀地表示出來。假定裝置容積為1L,表面積為100cm2,抽速為1L/s,僅考慮單分子層吸附并假定脫附的分子不再被吸附,容器在22℃下,壓力達(dá)到10-8Pa、10-13Pa所需要的時間和E的關(guān)系用圖16-3(n)表示,E≤84kj/mol的氣體容易脫附,E≥167kj/mol的氣體脫附速度很慢。為了獲得低于10-13Pa以下的壓力,只要
把容器加熱到300℃短時間烘烤,然后冷卻到室溫,即可得到圖16-3(6)的結(jié)果。由此可以看出,去除表面吸附氣體,適當(dāng)?shù)睾婵臼莦*有效的辦法。由于烘烤會使氣體脫附的量降幾個數(shù)量級,因此,烘烤的均勻性是非常重要的。在物理吸附的情況下,脫附活化能是z*低能級和勢能零點(diǎn)的差,如圖16-4所示,它等于吸附熱。表16-1給出了幾種常用吸附劑吸附某些氣體的吸附熱。
化學(xué)吸附的情形屬于另外一種,它們有以下關(guān)系
式中 H。——化學(xué)吸附熱,[J/mol];
E。——化學(xué)吸附所需的活化能,[J/mol];
Ed-分子的解離能,[J/mol]。
固體表面吸附的氣體還可以用在10Pa~1Pa下惰性氣體的輝光放電來清除,也可以用電子、離子轟擊材料而使吸附氣體放出。也有用光輻照、超聲波振動使固體表面吸附的氣體脫附。
經(jīng)過烘烤、放電或轟擊以后,表面放出的水蒸氣顯著減少。不銹鋼系統(tǒng),烘烤前放出的氣體中水蒸氣占90%。而烘烤去氣徹底以后,氫氣是放氣的主要成分,剩余的氣體尚有N2、02、00、C02、CH4等。氫氣是金屬在冶煉過程中溶解的氫向壁的真空側(cè)擴(kuò)散而放出的。CO、C02、CH4是固體表面和氣體間復(fù)雜的化學(xué)反應(yīng)生成的。在高溫下,金屬中溶解的碳擴(kuò)散到固體表面與金屬表面的氧氫以及水蒸氣發(fā)生反應(yīng)可以生成00、002、CH4。
實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),在切斷真空規(guī)的燈絲電源以后,C12峰顯著減少,此時系統(tǒng)壓力低于6.7×10-8 pa。尤其是水,在高溫下能分解為H2和O2,因而要盡量減少系統(tǒng)中殘存的水蒸氣。除了烘烤,冷凍也是減小水蒸氣的主要手段。它不僅可以把表面要解吸的水蒸氣凍住,也可以對水蒸氣產(chǎn)生一定的抽速,減少空間的水蒸氣。同時在較低溫度下的固體表面,碳與氫、氧的化學(xué)吸附概率也將變小。因?yàn)榛瘜W(xué)吸附概率是與e—E/RT成正比的。如果系統(tǒng)長期暴露于大氣中,為了避免水蒸氣的吸附,在打開容器前,引入干燥氮?dú)獗容^好。這樣做了以后,在室溫排氣裝置中,排氣時間可縮短到幾十分之一。系統(tǒng)打開前,充入氮?dú)庵翑?shù)百帕壓力,維持?jǐn)?shù)分鐘,使表面充分吸附氮?dú)庵溜柡蜖顟B(tài)之后,即可充人大氣。此時,由于容器壁已經(jīng)充分吸附了氮?dú)?,空氣中的水蒸氣就很少被吸附到器壁表面上。即使吸附,結(jié)合也是很弱的。