幾何圖形刻蝕的均勻性重復(fù)性

　　整個(gè)樣品幾何圖形刻蝕的均勻性和可重復(fù)性，主要取決于離子源的性能和刻蝕面的形貌。著先要求離子源的工作參數(shù)穩(wěn)定，特別是束離子能量和束流密度穩(wěn)定，樣品的離子曝光區(qū)域的束流密度均勻?？涛g面上的凸起和凹坑，會(huì)使線條變窄，斜面變形等。例如，若離子束垂直轟擊樣品基面，則凹坑斜面刻蝕得較快，使坑進(jìn)一步加深和擴(kuò)大。若使樣品傾斜一個(gè)角度，凹坑就得以減小或消除。與此相反，若刻蝕面有錐體凸起，則離子束垂直轟擊基面時(shí)使凸的生長(zhǎng)受限制。