真空鍍膜：離子濺射基本原理

　　在真空氛圍中，荷能粒子或粒子束入射到固體表面（靶）上，使靶表層原子獲得部分能量，當(dāng)其動(dòng)能超過周圍原子形成的勢壘(對于金屬是5eV—lOeV)時(shí)，這種原子由從晶格陣點(diǎn)中被碰出來，進(jìn)入真空中，這種現(xiàn)象謂之濺射。由于離子易于被電磁場加速或偏轉(zhuǎn)，故真空濺射鍍均選擇離子束轟擊靶材．使其原子被濺射出來沉積到基片上形成薄膜。每個(gè)離子濺射產(chǎn)額不僅與入射離子能量、入射角、離子質(zhì)量有關(guān)，同時(shí)還與靶材種類、原子序數(shù)、靶面原子結(jié)合狀態(tài)以及結(jié)晶取向有關(guān)。一般產(chǎn)額為0.1—10(原子離子)，大部原子能量小于20eV，并且為中性據(jù)多。
　　
　　原子濺射產(chǎn)額與入射離子能量有關(guān)，只有離子能量超過濺射閾值能量時(shí)才能發(fā)生濺射。當(dāng)離子能量超過閾值后，隨著離子能量增加，在150eV以前，濺射產(chǎn)額與離子能量平方成正比；在150eV—1keV范圍與離子能量成正比，在1keV～10keV范圍內(nèi)基本不變。當(dāng)用惰性氣體氬離子及氖離子轟擊靶材時(shí)，由于能量不同，濺射產(chǎn)額亦不同。
　　
　　表10-8給出了500eV的離子濺射產(chǎn)額。
　　
　　各種濺射方法鍍膜原理及特點(diǎn)由表10-9給出。