真空濺射鍍膜的概述

　　由濺射現(xiàn)象發(fā)展到濺射鍍膜經(jīng)歷了相當(dāng)長(zhǎng)的發(fā)展過程，早在1853年法拉第做氣體放電試驗(yàn)時(shí)，就發(fā)現(xiàn)了放電管壁沉積金屬現(xiàn)象，當(dāng)時(shí)只把它作為一種有害現(xiàn)象，研究如何避免。直到1902年Goldsrein才證明了沉積金屬是正離子轟擊陰極濺射出來的產(chǎn)物。大約到20世紀(jì)60年代，貝爾實(shí)驗(yàn)室利用濺射方法制取了鉭膜，從而濺射膜開始應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中，1965年IBM公司用射頻濺射方法實(shí)現(xiàn)了在絕緣體基片上鍍膜，同時(shí)出現(xiàn)了同軸圓柱磁控濺射裝置和三級(jí)濺射裝置。特別要提出的是1974年J．chapin研制成功了平面磁控濺射裝置，實(shí)現(xiàn)了高速低溫濺射鍍膜，使濺射鍍蔚然一新，與其它類鍍膜相比具有明顯的優(yōu)越性，它可在任何基材上沉積任何鍍材的薄膜。