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空間環(huán)境模擬設(shè)備的超高真空獲得技術(shù)
標(biāo)簽: 超高真空
2009-05-11  閱讀

來源:章學(xué)華,張俊峰,姜春,葉海峰  作者:章學(xué)華,張俊峰,姜春,葉海峰

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       空間環(huán)境模擬設(shè)備的超高真空獲得技術(shù)

       章學(xué)華 張俊峰 姜春 葉海峰(中國電子科技集團(tuán)公司第十六研究所,安徽萬瑞冷電科技有限公司 合肥 230043)

       摘要:本文詳細(xì)介紹了一套空間環(huán)境模擬設(shè)備的設(shè)計(jì),特別是其中超高真空設(shè)備的選型及超高真空獲得技術(shù)。

       該環(huán)模設(shè)備提供冷背景、熱真空、太陽輻射模擬、特殊介質(zhì)注入等多種環(huán)境模擬功能。

       其主要技術(shù)指標(biāo)如下:

       真空容器尺寸
       直徑Φ2000×3330㎜(圓柱筒長2500㎜)  真空度 6×10-6Pa  液氮熱沉 90K±5K  熱沉表面輻射率 >0.88  熱沉有效內(nèi)徑 Φ1800㎜  冷屏溫度 20K±2.5K,制冷量>90W  冷屏表面輻射率 >0.98  冷屏尺寸 1000×1000㎜2

       文中論述了其設(shè)計(jì)思想、主要結(jié)構(gòu)、性能指標(biāo),特別是超高真空設(shè)備選型及計(jì)算,潔凈超高真空獲得、測(cè)量和環(huán)模設(shè)備制作過程中應(yīng)注意事項(xiàng)等。
       
       關(guān)鍵詞:環(huán)境模擬 真空技術(shù)