【康沃真空網】蒸發(fā)源的種類常見的蒸發(fā)源包括電阻加熱蒸發(fā)源、電子束蒸發(fā)源等。

    1.電阻加熱蒸發(fā)源：通過電流加熱材料，簡單易用。

    2.電子束蒸發(fā)源：利用電子束的能量加熱蒸發(fā)材料，可實現(xiàn)更高的溫度和更精確的控制。

    電阻蒸發(fā)鍍膜技術采用電阻加熱蒸發(fā)源的蒸發(fā)鍍膜技術，一般用于蒸發(fā)低熔點材料，如鋁、金、銀、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等；加熱電阻一般采用鎢、鉬、鉭等。奇優(yōu)點，結構簡單，成本低。缺點材料易與坩堝反應，影響薄膜純度，不能蒸鍍高熔點的介電薄膜；蒸發(fā)率低。      電子束蒸發(fā)，利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發(fā)，在基片表面凝結成膜的技術。

    電子束熱源的能量密度可達104-109w/cm2，可達到3000℃以上，可蒸發(fā)高熔點的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、AL2O3等。

    電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環(huán)行)，電子束自源發(fā)出，用磁場線圈使電子束聚焦和偏轉，對膜料進行轟擊和加熱。其優(yōu)點可蒸發(fā)任何材料，薄膜純度高，直接作用于材料表面，熱效率高。缺點電子槍結構復雜，造價高，化合物沉積時易分解，化學比失調。      為了實現(xiàn)有效的蒸發(fā)鍍膜，真空環(huán)境是必不可少的。以下是真空環(huán)境的幾個重要作用，減少氣體分子的碰撞，防止薄膜受到污染；降低原子或分子的平均自由程，增加它們到達基底的概率；避免氣體反應對薄膜性質的影響。但在進行蒸發(fā)鍍膜之前，基底的處理非常重要?；妆砻姹仨毟蓛簟⑵秸源_保薄膜的附著力和質量。