【康沃真空網(wǎng)】磁控濺射真空鍍膜設(shè)備鍍膜工藝主要受哪幾個參數(shù)影響呢？

    磁控鍍膜機里面的工藝參數(shù)有很多很多，每個參數(shù)對磁控濺射系統(tǒng)來說都是非常重要的因素，因為一個參數(shù)未達標(biāo)，都沒辦法完成所需要達到的要求，本期給大家介紹磁控濺射真空鍍膜設(shè)備幾個常見比較重要參數(shù)，希望能幫助到大家：

    濺射閾值

    將靶材原子濺射出來所需的入射離子最小能量值。與入射離子的種類關(guān)系不大、與靶材有關(guān)。在能離子量超過濺射閾值后，隨著離子能量的增加，在150ev以前，濺射產(chǎn)額和離子能量的平方成正比；在150ev~1kev范圍內(nèi)，濺射產(chǎn)額和離子能量成正比；在1kev~10kev范圍內(nèi)，濺射產(chǎn)額變化不顯著；能量再增加，濺射產(chǎn)額卻顯示出下降的趨勢。以下是幾種金屬用不同入射離子轟擊的濺射閾值。

    濺射產(chǎn)額

    入射離子轟擊靶材時，平均每個正離子能從靶材打出的原子數(shù)。影響因素主要有以下幾方面：

    ●濺射產(chǎn)額隨靶材原子序數(shù)的變化表現(xiàn)出某種周期性，隨靶材原子d殼層電子填滿程度的增加，濺射產(chǎn)額變大（大致的變化趨勢）。

    ●入射離子種類對濺射產(chǎn)額的影響，濺射產(chǎn)額隨入射原子序數(shù)增加而周期性增加。相應(yīng)于45Kev的各種入射離子，銀、銅、鉭的濺射產(chǎn)額

    ●離子入射角度對濺射產(chǎn)額的影響，對相同的靶材和入射離子，濺射產(chǎn)額隨離子入射角增大而增大，當(dāng)角度增大到70°~80°時，濺射產(chǎn)額最大。繼續(xù)增大入射角，濺射產(chǎn)額急劇減小，90°時濺射產(chǎn)額為零。

    ●靶材溫度對濺射產(chǎn)額的影響，一般來說，在可以認(rèn)為濺射產(chǎn)額同升華能密切相關(guān)的某一溫度范圍內(nèi)，濺射產(chǎn)額幾乎不隨溫度的變化而變化。當(dāng)溫度超過這一范圍時，濺射產(chǎn)額有急劇增加的傾向。

    想要按照客戶需求和市場要求完成鍍膜工藝和業(yè)務(wù)，針對磁控濺射真空鍍膜設(shè)備來說，每一個參數(shù)都至關(guān)重要，都必須要按照嚴(yán)格要求達標(biāo)才行。

    如何解決膜層均勻性問題

    磁控濺射真空鍍膜機鍍制薄膜，均勻性是一項重要指標(biāo)，因此研究影響磁控濺射均勻性的影響因素，能更好的實現(xiàn)磁控濺射均勻鍍膜。簡單的說磁控濺射就是在正交的電磁場中，閉合的磁場束縛電子圍繞靶面做螺旋運動，在運動過程中不斷撞擊工作氣體氬氣電離出大量的氬離子，氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出靶原子離子（或分子）沉積在基片上形成薄膜。所以要實現(xiàn)均勻的鍍膜，就需要均勻的濺射出靶原子離子（或分子），這就要求轟擊靶材的氬離子是均勻轟擊的。由于氬離子是在電場作用下加速轟擊靶材，所以要求電場均勻。而氬離子來源于閉合的磁場束縛的電子在運動中不斷撞擊形成，這就要求磁場均勻和氬氣分布均勻。但是實際的磁控濺射裝置中，這些因素都是很難完全絕對的均勻，這就有必要研究他們不均勻?qū)Τ赡ぞ鶆蛐缘挠绊?。實際上磁場的均勻性和工作氣體的均勻性是影響成膜均勻性的最主要因素。磁場大的位置膜厚，反之膜薄，磁場方向也是影響均勻性的重要因素。氣壓方面，在一定氣壓條件下，氣壓大的位置膜厚，反之膜薄。

    那么磁控濺射真空鍍膜機怎樣解決不均勻性的問題呢？

    ●要盡量保證磁場的均勻性和方向一致性，形成一個相對均勻的空間磁場。

    ●要盡量保證氣壓上下的均勻性，真空腔體設(shè)計時，要考慮真空泵的安裝位置，和工藝氣體進氣方式以及腔體內(nèi)工藝氣管的布局。

    ●由于磁場和氣壓都不可能絕對理想，那么就可以通過氣壓的不均勻來補償磁場不均勻，讓最終薄膜均勻一致。

    ●靶基距也是影響均勻性的重要因素。