ITO薄膜在濺鍍過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生不同的特性,有時(shí)候表面光潔度比較低,出現(xiàn)麻點(diǎn)的現(xiàn)象,有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)高蝕間隔帶。
在蝕刻時(shí)還會(huì)出現(xiàn)直線放射型缺劃或電阻偏高帶,有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)微晶溝縫。
各種特性的產(chǎn)生一般取決于靶材和玻璃的選用,濺鍍時(shí)所使用的溫度和運(yùn)動(dòng)方式。
當(dāng)前常用的ITO靶材制作是通過(guò)燒結(jié)法生產(chǎn)的,就是由氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)粉末按照一定的比例進(jìn)行混合,通常質(zhì)量比是90%In2O3和10% SnO2,再通過(guò)一系列的生產(chǎn)工藝加工成型后,以1400℃~1600℃高溫通氧氣燒結(jié),z*終形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體(氧化銦錫,ITO)。
一般通過(guò)外觀就可以了解ITO靶材的質(zhì)量,深灰色是z*好的,相反越黑質(zhì)量越差,我國(guó)生產(chǎn)的ITO靶材質(zhì)量還可以的是黑灰色的。
經(jīng)過(guò)研究,在真空鍍膜機(jī)薄膜濺鍍過(guò)程中,使用磁控濺射的方式,基底溫度控制在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見(jiàn)光透過(guò)率下,電阻率達(dá)到z*低,而薄膜的結(jié)晶度也隨著基底溫度的提高而提高,晶粒尺寸也逐漸增大。
超過(guò)200℃后透射率趨于減弱;使用電子束蒸鍍的方式,隨著退火溫度升高,晶粒尺寸變大,表面形貌均一穩(wěn)定,超過(guò)600℃后顆粒變得大小不一,形狀各異,小顆粒團(tuán)聚現(xiàn)象嚴(yán)重,薄膜表面形貌破壞。