真空鍍膜一種產(chǎn)生薄膜材料的技術。在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。此項技術用于生產(chǎn)激光唱片（光盤）上的鋁鍍膜和由掩膜在印刷電路板上鍍金屬膜。

真空鍍膜中對蒸發(fā)源的材料要求有哪些？

通常對蒸發(fā)源應考慮蒸發(fā)源的材料和形狀，一般對蒸發(fā)源材料的要求是：

(1)熔點高。因為蒸發(fā)材料的蒸發(fā)溫度(平衡蒸汽壓為1.3Pa的溫度)多數(shù)在1000~2000℃之間，因此，蒸發(fā)源材料的熔點應高于此溫度。

(2)平衡蒸汽壓低。這主要是防止或減少高溫下蒸發(fā)源材料隨蒸發(fā)材料蒸發(fā)而成為雜質，進入蒸鍍膜層中。只有在蒸發(fā)源材料的平衡氣壓足夠低時，才能保證在蒸發(fā)時具有z*小的自蒸發(fā)量，才不致影響系統(tǒng)真空度和污染膜層，為了使蒸發(fā)源材料所蒸發(fā)的數(shù)量非常少，在選擇蒸發(fā)溫度、蒸發(fā)源材料時，應使材料的蒸發(fā)溫度低于蒸發(fā)源材料在平衡氣壓為1.3×10-6Pa時的制備高質量的薄膜可采用與1.3×10-3Pa所對應的溫度。

(3)化學性能穩(wěn)定，在高溫下不應與蒸發(fā)材料發(fā)生化學反應。在高溫下某些蒸發(fā)源材料，與蒸發(fā)材料之間會產(chǎn)生反應及擴散而形成化合物和合金。特別是形成低共熔點合金蒸發(fā)源容易燒斷。例如在高溫時鉭和金會形成合金，鋁、鐵、鎳、鈷也會與鎢、鉬、鉭等蒸發(fā)源材料形成合金。鎢還能與水或氧發(fā)生反應，形成揮發(fā)性的氧化物如WO、WO2或WO3;鉬也能與水或氧反應而形成揮發(fā)性MoO3等。因此，應選擇不會與鍍膜材料發(fā)生反應或形成合金的材料做該材料的蒸發(fā)源材料。

作為蒸發(fā)源的材料必須具備熔點高、揮發(fā)低、高溫冷卻后脆性小等性質。常用的線狀蒸發(fā)源應能與蒸發(fā)金屬相潤濕，熔點遠遠大于待鍍金屬的蒸發(fā)溫度，不與待鍍金屬發(fā)生反應生成合金。